Heute hat TrendForce einen Blick in die Zukunft der HBM-Technologie (High Bandwidth Memory) geworfen, insbesondere auf HBM4, dessen Einführung für 2026 erwartet wird. Diese kommende Technologie verspricht, die Schnittstelle auf 2048 Bit zu erweitern und die Architektur grundlegend zu verändern. TrendForce behauptet, dass HBM4 eine deutliche Abkehr von den traditionellen standardisierten DRAM-Technologien hin zu mehr kundenspezifischen Lösungen darstellt.
HBM4 wird die erste Technologie sein, bei der ein 12-nm-Logikprozess für den Basis-Die zum Einsatz kommt, der nicht von DRAM-Herstellern, sondern von Foundries hergestellt wird. Diese Entwicklung wird in Zusammenarbeit zwischen Foundries und Speicherlieferanten erfolgen, was im Wesentlichen eine symbiotische Beziehung zur Weiterentwicklung der Hochgeschwindigkeitsspeichertechnologie bedeutet. Die gesteigerte Leistung und der erweiterte Funktionsumfang von HBM4 sind auf die Anforderungen zukünftiger Prozessoren für künstliche Intelligenz (KI) und High-Performance-Computing (HPC) von wichtigen Branchenakteuren wie AMD, Nvidia und Intel zugeschnitten.
Die Verlagerung hin zur kundenspezifischen Anpassung auf dem HBM4-Markt ist ein entscheidender Aspekt, den TrendForce identifiziert hat. Dies weicht von dem traditionellen, standardisierten Ansatz von Standard-DRAM ab, was eine bedeutende Veränderung in der Branche bedeutet. Käufer suchen zunehmend nach kundenspezifischen Spezifikationen und erforschen innovative Optionen, wie z.B. das Stapeln von HBM direkt auf den System-on-Chips (SoCs).
Es wird erwartet, dass dieser Trend zur kundenspezifischen Anpassung neue Design- und Preisstrategien für die HBM-Branche mit sich bringen wird. Da die Speichertechnologie immer spezieller wird und auf spezifische Bedürfnisse zugeschnitten ist, ebnet sie den Weg für eine neue Ära der HBM-Technologie, die durch Innovation, Spezialisierung und eine Abkehr von dem heutigen Einheitsansatz gekennzeichnet ist. Diese Entwicklung bei HBM4 und darüber hinaus deutet auf eine dynamische und schnell voranschreitende Landschaft in der Hochgeschwindigkeitsspeichertechnologie hin.
Ein weiteres herausragendes Merkmal von HBM4 ist der Übergang von den derzeitigen 12-Schicht-Stapeln (12Hi) zu fortschrittlicheren 16-Schicht-Stapeln (16Hi), wodurch die Kapazität der Speichermodule erhöht wird. Dieser Übergang, der voraussichtlich bis 2027 abgeschlossen sein wird, erfordert neue Hybrid-Bonding-Techniken, um die Anzahl der Schichten zu erhöhen und gleichzeitig die Integrität der Speicherstapel zu erhalten.
HBM4 wird den Speichermarkt zwar revolutionieren, ist aber noch Jahre entfernt. Folglich wird HBM3E eine recht lange Lebensdauer haben.
