SK Hynix gab am Montag bekannt, dass das Unternehmen die Entwicklung seiner ersten HBM3E-Speichermodule abgeschlossen hat und nun Muster an seine Kunden liefert. Die neuen Speichermodule weisen eine Datentransferrate von 9 GT/s auf und übertreffen damit die HBM3-Module des Unternehmens um satte 40 %.
SK Hynix beabsichtigt, seine neuen HBM3E-Speicherstapel in der ersten Hälfte des nächsten Jahres in Serie zu produzieren. Das Unternehmen gab jedoch weder die Kapazität der Module bekannt (noch ob sie die 12-Hi- oder 8-Hi-Architektur verwenden) noch wann genau sie verfügbar sein werden. Das Marktforschungsunternehmen TrendForce sagte kürzlich, dass SK Hynix im ersten Quartal 2024 24 GB HBM3E-Produkte und im ersten Quartal 2025 36 GB HBM3E-Produkte auf den Markt bringen wird.
Wenn die Informationen von TrendForce korrekt sind, werden die neuen HBM3E-Module von SK Hynix genau dann kommen, wenn der Markt sie braucht. Nvidia beispielsweise wird mit der Auslieferung seiner Grace Hopper GH200-Plattform mit 141 GB HBM3E-Speicher für künstliche Intelligenz und High-Performance-Computing-Anwendungen im zweiten Quartal 2024 beginnen. Das bedeutet zwar nicht, dass das Nvidia-Produkt HBM3E von SK Hynix verwenden wird, aber die Massenproduktion von HBM3E in der ersten Hälfte des Jahres 2024 stärkt die Position von SK Hynix als führender Anbieter von HBM-Speicher in Bezug auf das Volumen.
@SKhynix announced today that it successfully developed #HBM3E, the next-generation of the highest-specification #DRAM for AI applications currently available, and said a customer’s evaluation of samples is underway.
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— SK hynix (@SKhynix) August 21, 2023
Allerdings wird es nicht in der Lage sein, die Performance-Krone zu erobern. Die neuen Module von SK Hynix bieten eine Datenübertragungsrate von 9 GT/s und sind damit etwas langsamer als die 9,2 GT/s von Micron. Während die HBM3 Gen2-Module von Micron eine Bandbreite von bis zu 1,2 TB/s pro Stack versprechen, erreichen die Module von SK Hynix eine Spitzenleistung von 1,15 TB/s. Der HBM3E von SK Hynix ist langsamer als der HBM3 Gen2 von Micron, hat aber immer noch eine Menge Power.
SK Hynix macht zwar keine Angaben zur Kapazität seiner HBM3E-Stacks, gibt aber an, dass sie seine Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-RUF) Technologie verwenden. Dieser Ansatz verkleinert den Raum zwischen den Speicherbausteinen innerhalb eines HBM-Stapels, was die Wärmeableitung um 10 % beschleunigt und es ermöglicht, eine 12-Hi-HBM-Konfiguration in dieselbe z-Höhe wie ein 8-Hi-HBM-Modul zu packen.
Eines der interessantesten Dinge an der Massenproduktion von HBM3E-Speicher in der ersten Hälfte des Jahres 2024 durch Micron und SK Hynix ist, dass dieser neue Standard noch immer nicht offiziell von JEDEC veröffentlicht wurde. Vielleicht ist die Nachfrage nach Speicher mit höherer Bandbreite bei KI- und HPC-Anwendungen so groß, dass die Unternehmen die Massenproduktion etwas überstürzen, um sie zu befriedigen.
