Ein Forscherteam aus Korea hat einen neuartigen Phasenwechselspeicher entwickelt, der so zuverlässig wie NAND sein soll und so schnell wie DRAM. Gleichzeitig ist der neue Speicher kostengünstig und dazu energieeffizient.
Generell weisen alle Arten digitaler Speicher immer gewisse Vor- und auch Nachteile auf. Die größte Bedeutung haben:
- Schnelligkeit
- Zuverlässigkeit
- Stromverbrauch
Wer eine dieser Variablen verändern möchte, muss das in der Regel auf Kosten einer anderen Variable machen. Das Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST) hat nun aber offenbar eine Variante gefunden, bei der alle drei Punkte zutreffen.
KAIST entwickelt neuartigen Speicher
Der neuartige Phasenwechselspeicher soll einerseits schnell sein, aber auch zuverlässig und gleichzeitig energieeffizient. Alle drei Punkte sind somit erfüllt. Damit könnte diese neue Lösung möglicherweise tatsächlich die Speichermedien ablösen, die derzeit im Einsatz sind. Vielleicht wird der Speicher auch für die nächste KI-Hardware-Generation eingesetzt, wenn es um das neuromorphe Computing geht. Bei diesem Verfahren findet die Kodierung der informationsverarbeitenden Einheiten mithilfe von Impulsen statt.
Normalerweise würden solche Speicher viel Energie verbrauchen. Bislang gab es noch nicht ausreichend Erfolg bei Versuchen, den Stromverbrauch zu reduzieren.
Nun allerdings wird bei der neuen Technik nur in einem kleinen Bereich Phasenwechsler erzeugt. Damit soll der Energieverbrauch dem Institut zufolge um 15 Prozent geringer ausfallen.
Neuer Speicher könnte DRAM und NAND ersetzen
Der neue Speicher, der vom Korea Advanced Institute of Science and Technology entwickelt wurde, könnte künftig sowohl NAND als auch DRAM ablösen. Gleichzeitig wäre er außerdem sogar noch günstiger.
Bei DRAM ist es so, dass dieser zwar als schnell gilt, aber auch als volatil. Es können bei einer Unterbrechung der Energieversorgung Datenverluste auftreten. NAND hat dieses Problem nicht, denn auch ohne eine konstante Versorgung mit Energie kann dieser Speicher Informationen speichern. Dafür ist der Flash-Speicher aber im Vergleich zu DRAM viel langsamer. Die beiden Vorteile der Technologien DRAM und NAND sollen nun im neuen Phasenwechselspeicher aus Korea vereint werden.
Wird der Speicher auch Realität?
An sich handelt es sich erst mal nur um Behauptungen des Korea Advanced Institute of Science and Technology, sodass abzuwarten bleibt, inwiefern alle Angaben auch der Realität entsprechen. Wir dürfen gespannt sein und berichten weiter, wenn es hierzu erste handfeste Belege gibt.
Quellen: Korea Advanced Institute of Science and Technology, WinFuture
