Samsung setzt große Hoffnungen in den SSD-Markt und rechnet damit, innerhalb des nächsten Jahrzehnts SSDs mit einer Speicherkapazität von einem Petabyte, also Sticks mit bis zu 1024 Terabyte, herzustellen, schreibt Tom’s Hardware (via A&SMag). Die Vorhersage wurde auf dem China Flash Memory Market Summit gemacht, erfordert aber noch einige heftige Innovationen in Bezug auf die zugrunde liegenden SSD-Technologien.
Um ein Petabyte Speicherplatz auf einem SSD-Chip zu erreichen, müssen alle Komponenten erheblich verkleinert werden. Insbesondere muss der 3D-Nand-Speicher sowohl physisch als auch auf logischer Ebene verkleinert werden; die Anzahl der Speicherschichten kann dann deutlich erhöht werden, wodurch die Speicherdichte steigt. Heutige Flash-Chips von Samsung haben maximal 236 Schichten, für ein Petabyte müssen es 1.000 sein.
Wenn Flash-Chips nicht wesentlich dichter gemacht werden können, braucht man einen riesigen Chip, um ein Petabyte Speicherplatz unterzubringen.
Auch die zugrunde liegende Technologie von SSDs muss für ein Petabyte Speicherplatz verbessert werden. Derzeit kann eine gewöhnliche SSD 4 Bits pro Speicherzelle speichern (wir erklären dieses Prinzip in diesem Artikel ausführlich). Solche Quad-Level-Zellen reichen nicht aus; neben der Entwicklung von Penta-Level-Zellen (mit fünf Bits pro Speicherzelle) werden auch Technologien für noch mehr Bits pro Zelle untersucht.
Dabei steigt auch die Anzahl der Spannungsebenen drastisch an. Eine Hexa-Zelle würde 64 Spannungsebenen benötigen, während eine theoretische Octa-Zelle 256 benötigt. Diese komplexe Eigenschaft moderner SSDs ist einer der Gründe dafür, dass selbst moderne QLCs in Bezug auf die Leistung sehr uneinheitlich sind. Dies kann mit mehr Bits pro Zelle nur noch schlimmer werden. Kurz gesagt, es gibt noch viel zu tun, auch wenn Samsung davon ausgeht, dies innerhalb der nächsten 10 Jahre zu erreichen.
