IBM hat den Konzepttransistor Anfang dieses Monats auf der IEEE 2023 vorgestellt. Der Transistor wurde aus einer Nanoblechstruktur anstelle des üblichen FinFETs aufgebaut. Das war jedoch nicht die einzige Besonderheit des Schaltkreises, denn er funktionierte auch bei dem Siedepunkt von flüssigem Stickstoff sehr gut.
Ein Nanosheet-Transistor ist eine Form von Gate-all-around(GAA)-Transistoren, an der mehrere Hersteller derzeit arbeiten. Der Grund dafür ist, dass diese Struktur vielversprechende Eigenschaften aufweist, wenn Chips mit einer Größe von weniger als 3nm hergestellt werden. Damit ist sie der eingefärbte Nachfolger der allgegenwärtigen FinFET-Struktur. Ab dem 2nm-Prozess von TSMC und dem 20Å-Prozess von Intel werden Chips auf der Basis von GAA-Transistoren erwartet.
Diese Demonstration hat auch gezeigt, dass sich diese Struktur gut für den Einsatz bei extrem niedrigen Temperaturen eignet. Dies könnte auch die Leistung aktueller Chips erheblich steigern, die jedoch bei solchen Temperaturen oft nicht besonders stabil sind. Der Konzepttransistor wurde mit Blick auf die Kühlung mit flüssigem Stickstoff entwickelt und könnte daher auch bei solchen Temperaturen stabil arbeiten. Dies führte auch zu einer fast doppelt so hohen Leistung im Vergleich zu Raumtemperatur. Auch der Stromverbrauch war geringer, was eine höhere Transistordichte auf einem Chip ermöglichen könnte. Möglicherweise ebnet dies den Weg für eine ganz neue Klasse von KI- und HPC-Chips, die mit Flüssigstickstoff gekühlt werden und eine noch höhere Leistung erbringen.
Quelle: Techspot
