SK Hynix entwickelt revolutionäres Fan-Out-Speicher-Packaging

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SK Hynix arbeitet Berichten zufolge an einem neuen Speichertyp, der eine breite Schnittstelle mit geringeren Kosten im Vergleich zu HBM-Lösungen kombinieren soll. Der neue Speichertyp soll ein 2,5D-Fan-out-Gehäuse verwenden und könnte für Grafik- oder Mobilanwendungen eingesetzt werden, berichtet BusinessKorea.

Die Technologie von SK Hynix basiert auf einer einfachen, aber effektiven Idee: zwei DRAM-Bausteine werden nebeneinander platziert und mit Hilfe des 2,5D Fan-out Wafer-Level Packaging (FOWLP) zu einem einzigen zusammengefügt. Dadurch entfällt die Notwendigkeit einer zusätzlichen Schicht unter den Bausteinen (die bei Dual-Die-Speicherbausteinen verwendet wird), was zu schlankeren Chips und zum Aufbau eines Speicherbausteins mit einer breiteren Schnittstelle führt.

Dies ist eine große Veränderung gegenüber der üblichen Art der Herstellung von Dual- oder Multi-Die-Speicherchips. Es zeigt, dass SK Hynix auf neuere Methoden setzt, die breite Schnittstellen und Kosteneffizienz miteinander verbinden können.

Moderne GDDR6- und LPDDR5X-Speicherbausteine verfügen über eine 32-Bit- oder 64-Bit-Schnittstelle, während HBM-Stacks eine 1024-Bit-Schnittstelle aufweisen, die trotz geringerer Datenübertragungsraten eine wesentlich höhere Spitzenbandbreite bietet. Um einen HBM-Baustein zu bauen, müssen Unternehmen wie SK Hynix jedoch mehrere Speicherbausteine stapeln, sie mit TSVs (Through-Silicon-Vias) verbinden, sie auf einer Basisschicht platzieren und sie dann mit einem Interposer an einen Host-Prozessor anschließen.

In Anbetracht all dieser Komplexität ist HBM unglaublich teuer. Aus diesem Grund wird es hauptsächlich für Rechenzentren und Unternehmenslösungen verwendet – und deshalb hatten die Fiji- und Vega-Architekturen von AMD Schwierigkeiten, Gewinne zu erzielen.

Im Gegensatz dazu überspringt der DRAM von SK Hynix, der auf einem 2,5D-FOWLP basiert, TSVs und verzichtet auf Interposer, was die Kosten erheblich senkt. Gleichzeitig verfügen die daraus resultierenden Speicherbausteine über eine relativ breite Schnittstelle (wir gehen von mindestens 128 Bit aus) und somit über eine höhere Bandbreite pro Chip.

Einer der Hauptgründe, warum SK Hynix dieses neue Packaging einsetzt, ist dem Bericht zufolge die Senkung der Kosten, so dass der neue Speichertyp relativ billig sein dürfte. Wir kennen die genauen Kosten nicht, aber wir vermuten, dass sie höher sind als die von LPDDR und GDDR, aber immer noch viel niedriger als HBM.

Eine offensichtliche Frage ist, ob die 2,5D Fan-out DRAMs von SK Hynix von bestehenden Anwendungen unterstützt werden. Es sieht so aus, als ob die Speicherprodukte zumindest anfänglich für sehr spezifische Geräte verwendet werden. Dies steht im Einklang mit der Strategie des Unternehmens, Speicherbausteine herzustellen, die spezialisierter sind und in kleineren Mengen produziert werden.

 

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